Photodiode PIN Si 1064nm

Modèle : GT102Ф0.2/ GT102Ф0.5/ GT102Ф1/ GT102Ф2/ GT102Ф4/ GD3310Y/ GD3217Y

Brève description:

Il s'agit d'une photodiode Si PIN qui fonctionne en polarisation inverse et offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 980 nm.Sensibilité : 0,3 A/W à 1 064 nm.

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Paramètre technique

Étiquettes de produit

Caractéristiques

Structure éclairée à l'avant
Faible courant d'obscurité
Réponse élevée
Grande fiabilité

Applications

Communication, détection et télémétrie par fibre optique
Détection optique de l'UV au NIR
Détection rapide des impulsions optiques
Systèmes de contrôle pour l'industrie

Paramètre photoélectrique (@Ta=25℃)

Article #	Catégorie de forfait	Diamètre de la surface photosensible(mm)	Plage de réponse spectrale (nm)	Longueur d'onde de réponse maximale (nm)	Réactivité (A/W) λ=1064nm	Temps de montée λ=1064nm V_R=40V R_L=50Ω(ns)	Courant sombre V_R=40V (n / a)	Capacité de jonction V_R=40V f=1MHz (pF)	Tension de claquage (V)
GT102Ф0.2	Type coaxial II,5501,TO-46 Type de connecteur	Ф0.2	4~1100	980	0,3	10	0,5	0,5	100
GT102Ф0.5		Ф0.5				10	1.0	0,8
GT102Ф1		Ф1.0				12	2.0	2.0
GT102Ф2	TO-5	Ф2.0				12	3.0	5.0
GT102Ф4	TO-8	Ф4.0				20	5.0	12.0
GD3310Y	TO-8	Ф8.0				30	15	50
GD3217Y	TO-20	Ф10.0				50	20	70