APD 800nm

Modèle : GD5210Y-1-2-TO46/ GD5210Y-1-5-TO46/ GD5210Y-1-2-LCC3/ GD5210Y-1-5-LCC3

Brève description:

Il s'agit d'une photodiode à avalanche Si qui offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 800 nm.

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Paramètre technique

Étiquettes de produit

Caractéristiques

Puce plate éclairée à l'avant
Réponse à grande vitesse
Gain APD élevé
Faible capacité de jonction
Faible bruit

Applications

Télémétrie laser
Radar laser
Avertissement laser

Paramètre photoélectrique（@Ta=22±3℃）

Article #	Catégorie de forfait	Diamètre de la surface photosensible(mm)	Plage de réponse spectrale (nm)	Longueur d'onde de réponse maximale	Réactivité λ=800nm φe=1μW M=100 (A/O)	Temps de réponse λ=800nm R_L=50Ω （ns）	Courant sombre M=100 (n / a)		Coéfficent de température Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Capacité totale M=100 f=1MHz （pF）	Tension de claquage I_R=10μA (V)
							Tapez.	Max.			Min	Max
GD5210Y-1-2-TO46	TO-46	0,23	400～1100	800	55	0,3	0,05	0,2	0,5	1.5	80	160
GD5210Y-1-5-TO46	TO-46	0,50					0,10	0,4		3.0
GD5210Y-1-2-LCC3	LCC3	0,23					0,05	0,2		1.5
GD5210Y-1-5-LCC3	LCC3	0,50					0,10	0,4		3.0