Modules PIN Si 850nm

Modèle : GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Brève description:

Il s'agit d'un module de photodiode Si PIN de 850 nm avec circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion de l'amplification du signal photon-photoélectrique.

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Paramètre technique

Étiquettes de produit

Caractéristiques

Réponse à grande vitesse
Haute sensibilité

Applications

Fusible laser

Paramètre photoélectrique (@Ta=22±3℃)

Article #	Catégorie de forfait	Diamètre de la surface photosensible(mm)	Réactivité	Temps de montée (ns)	Plage dynamique (dB)	Tension de fonctionnement (V)	Tension de bruit (mV)	Remarques
Article #	Catégorie de forfait	Diamètre de la surface photosensible(mm)	λ=850nm，φ_e=1μW		λ=850nm	Tension de fonctionnement (V)	Tension de bruit (mV)	Remarques
GD4213Y	TO-8	2	110	12	20	±5±0.3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0.3	40	(Angle d'incidence : 0°, transmittance de 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1.5	130	18	20	±6±0.3	40
GD42121Y		10 × 0,95	110	20	20	±5±0.1	25
Remarques : la charge de test du GD4213Y est de 50 Ω, les autres sont de 1 MΩ.