DAP 905nm

Modèle : GD5210Y-2-2-TO46/ GD5210Y-2-5-TO46/ GD5210Y-2-8-TO46/ GD5210Y-2-2-LCC3/ GD5210Y-2-5-LCC3/ GD5210Y-2-2-P/ GD5210Y-2-5-P/ Baie

Brève description:

Il s'agit d'une photodiode à avalanche Si qui offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 905 nm.

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Paramètre technique

Étiquettes de produit

Caractéristiques

Puce plate éclairée à l'avant
Réponse à grande vitesse
Gain APD élevé
Faible capacité de jonction
Faible bruit
La taille de la matrice et la surface photosensible peuvent être personnalisées.

Applications

Télémétrie laser
Radar laser
Avertissement laser

Paramètre photoélectrique (@Ta=22±3℃)

Article #	Catégorie de forfait	Diamètre de la surface photosensible(mm)	Plage de réponse spectrale (nm)	Longueur d'onde de réponse maximale (nm)	Réactivité λ=905nm φe=1μW M=100 (A/O)	Temps de réponse λ=905nm R_L=50Ω （ns）	Courant sombre M=100 (n / a)		Coéfficent de température Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Capacité totale M=100 f=1MHz （pF）	Panne tension I_R=10μA (V)
Article #	Catégorie de forfait	Diamètre de la surface photosensible(mm)	Plage de réponse spectrale (nm)	Longueur d'onde de réponse maximale (nm)	Réactivité λ=905nm φe=1μW M=100 (A/O)	Temps de réponse λ=905nm R_L=50Ω （ns）	Tapez.	Max.	Coéfficent de température Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Capacité totale M=100 f=1MHz （pF）	Min	Max
GD5210Y-2-2-TO46	TO-46	0,23	400～1100	905	55	0,6	0,2	1.0	0,9	1.0	130	220
GD5210Y-2-5-TO46	TO-46	0,50					0,4	1.0		1.2
GD5210Y-2-8-TO46	TO-46	0,80					0,8	2.0		2.0
GD5210Y-2-2-LCC3	LCC3	0,23					0,2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-LCC3	LCC3	0,50					0,4	1.0		1.2
GD5210Y-2-2-P	Emballage en plastique	0,23					0,2	1.0		1.0
GD5210Y-2-5-P	Emballage en plastique	0,50					0,4	1.0		1.2
Déployer	PCB	Personnalisé				Selon surface photosensible	Selon surface photosensible			Selon surface photosensible	160	200