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APD 355nm

Il s'agit d'une photodiode à avalanche Si avec une grande surface photosensible et des UV améliorés.Il offre une haute sensibilité allant de l'UV au NIR.

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APD 800nm

Il s'agit d'une photodiode à avalanche Si qui offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 800 nm.

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DAP 905nm

Il s'agit d'une photodiode à avalanche Si qui offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 905 nm.

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DAP 1064nm

Il s'agit d'une photodiode à avalanche Si qui offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 1064 nm.Sensibilité : 36 A/W à 1064 nm.

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Modules APD 1064nm

Il s'agit d'un module de photodiode à avalanche Si amélioré avec un circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion d'amplification du signal photon-photoélectrique.

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Modules APD InGaAs

Il s'agit d'un module de photodiode à avalanche d'arséniure d'indium et de gallium avec circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion de l'amplification du signal photon-photoélectrique.

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APD à quatre quadrants

Il se compose de quatre mêmes unités de photodiode à avalanche Si qui offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 980 nm.Sensibilité : 40 A/W à 1064 nm.

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Modules APD à quatre quadrants

Il se compose de quatre mêmes unités de photodiode à avalanche Si avec circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion d'amplification photon-signal photoélectrique.

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Modules PIN Si 850nm

Il s'agit d'un module de photodiode Si PIN de 850 nm avec circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion de l'amplification du signal photon-photoélectrique.

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Photodiode PIN Si 900nm

Il s'agit d'une photodiode Si PIN qui fonctionne en polarisation inverse et offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 930 nm.

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Photodiode PIN Si 1064nm

Il s'agit d'une photodiode Si PIN qui fonctionne en polarisation inverse et offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 980 nm.Sensibilité : 0,3 A/W à 1 064 nm.

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Modules fibre Si PIN

Le signal optique est converti en signal de courant en entrant une fibre optique.Le module Si PIN est doté d'un circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion d'amplification du signal photon-photoélectrique.

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