Série de modules 1064nmAPD

Modèle : GD6212Y / GD6213Y / GD6219Y

Brève description:

L'appareil est un module de photodiode à avalanche au silicium amélioré de 1064 nm avec un circuit de préamplificateur intégré, qui peut amplifier les signaux de courant faibles et les convertir en sorties de signal de tension, réalisant le processus de conversion de "l'amplification de signal optique-électrique".

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Paramètre technique

CARACTÉRISTIQUES

APPLICATION

Étiquettes de produit

Caractéristiques photoélectriques (＠Ta＝22±3℃)
Modèle	GD6212Y	GD6213Y	GD6219Y
Formulaire de colis	TO-8	TO-8	TO-8
Diamètre de la surface photosensible (mm)	0,8	0,8	3
Plage de réponse spectrale (nm)	400~1100	400~1100	400~1100
Tension de claquage (V)	350~500	350~500	350~500
Sensibilité M=100 I=1064nm(kV/W)	150	200	280
Temps de montée (ns)	8.8	2	7
Bande passante (MHz)	40	175	50
Puissance de bruit équivalente (pW/√Hz)	0,15	0,15	2.7
Coefficient de température de tension de fonctionnement T=-40℃~85℃(V/℃)	2.2	2.2	2.4
Concentricité (μm)	≤50	≤50	≤50
Modèles alternatifs de la même performance dans le monde entier	C30950	C30659-1060-R8BH	C30659-1060-3A

Structure de la puce du plan avant

Fréquence de réponse élevée

Haute sensibilité du détecteur

Télémétrie laser

Lidar

Avertissement laser