Série de modules InGaAS-APD

Modèle : GD6510Y / GD6511Y / GD6512Y

Brève description:

L'appareil est un module de photodiode à avalanche InGaAs avec un circuit de préamplificateur intégré, qui peut convertir le faible.Une fois le signal de courant amplifié, il est converti en une sortie de signal de tension pour réaliser le processus de conversion "d'amplification de signal optique-électrique".

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Paramètre technique

CARACTÉRISTIQUES

APPLICATION

Étiquettes de produit

Caractéristiques photoélectriques (＠Ta＝22±3℃)
Modèle	GD6510Y	GD6511Y	GD6512Y
Formulaire de colis	TO-8	TO-8	TO-8
Diamètre de la surface photosensible (mm)	0,2	0,5	0,08
Plage de réponse spectrale (nm)	1000~1700	1000~1700	1000~1700
Tension de claquage (V)	30 ~ 70	30 ~ 70	30 ~ 70
Sensibilité M=10 l=1550nm(kV/W)	340	340	340
Temps de montée (ns)	5	10	2.3
Bande passante (MHz)	70	35	150
Puissance de bruit équivalente (pW/√Hz)	0,15	0,21	0,11
Coefficient de température de tension de fonctionnement T=-40℃~85℃(V/℃)	0,12	0,12	0,12
Concentricité (μm)	≤50	≤50	≤50
Modèles alternatifs de la même performance dans le monde entier	C3059-1550-R2A	/	C3059-1550-R08B

Structure de la puce du plan avant

Réponse rapide

Haute sensibilité du détecteur

Télémétrie laser

Lidar

Avertissement laser