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Modules APD InGaAs

Modules APD InGaAs

Modèle : GD6510Y/ GD6511Y/ GD6512Y

Brève description:

Il s'agit d'un module de photodiode à avalanche d'arséniure d'indium et de gallium avec circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion de l'amplification du signal photon-photoélectrique.


  • f614effe
  • 6dac49b1
  • 46bbb79b
  • 374a78c3

Paramètre technique

Étiquettes de produit

Caractéristiques

  • Puce plate éclairée à l'avant
  • Réponse à grande vitesse
  • Haute sensibilité du détecteur

Applications

  • Télémétrie laser
  • Communication laser
  • Avertissement laser

Paramètre photoélectrique@Ta=22±3℃

Article #

 

 

Catégorie de forfait

 

 

Diamètre de la surface photosensible(mm)

 

 

Plage de réponse spectrale

(nm)

 

 

Tension de claquage

(V)

Réactivité

M=10

λ=1550nm

(kV/W)

 

 

 

 

Temps de montée

(ns)

Bande passante

(MHz)

Coéfficent de température

Ta=-40℃~85℃

(V/℃)

 

Puissance équivalente au bruit (pW/√Hz)

 

Concentricité(μm)

Type remplacé dans d'autres pays

GD6510Y

 

 

TO-8

 

0,2

 

 

1000~1700

30~70

340

5

70

0,12

0,15

≤50

C3059-1550-R2A

GD6511Y

0,5

10

35

0,21

GD6512Y

0,08

2.3

150

0,11

C3059-1550-R08B


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