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Modules APD InGaAs

Il s'agit d'un module de photodiode à avalanche d'arséniure d'indium et de gallium avec circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion de l'amplification du signal photon-photoélectrique.

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APD à quatre quadrants

Il se compose de quatre mêmes unités de photodiode à avalanche Si qui offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 980 nm.Sensibilité : 40 A/W à 1064 nm.

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Modules APD à quatre quadrants

Il se compose de quatre mêmes unités de photodiode à avalanche Si avec circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion d'amplification photon-signal photoélectrique.

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Modules PIN Si 850nm

Il s'agit d'un module de photodiode Si PIN de 850 nm avec circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion de l'amplification du signal photon-photoélectrique.

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Photodiode PIN Si 900nm

Il s'agit d'une photodiode Si PIN qui fonctionne en polarisation inverse et offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 930 nm.

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Photodiode PIN Si 1064nm

Il s'agit d'une photodiode Si PIN qui fonctionne en polarisation inverse et offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 980 nm.Sensibilité : 0,3 A/W à 1 064 nm.

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Modules fibre Si PIN

Le signal optique est converti en signal de courant en entrant une fibre optique.Le module Si PIN est doté d'un circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion d'amplification du signal photon-photoélectrique.

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PIN Si à quatre quadrants

Il se compose de quatre mêmes unités de photodiode Si PIN qui fonctionnent en inverse et offrent une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 980 nm.Sensibilité : 0,5 A/W à 1064 nm.

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Modules Si PIN à quatre quadrants

Il se compose de quatre mêmes unités simples ou doublées de photodiode Si PIN avec circuit de préamplification qui permet d'amplifier le signal de courant faible et de le convertir en signal de tension pour réaliser le processus de conversion d'amplification photon-photoélectrique-signal.

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PIN Si amélioré aux UV

Il s'agit d'une photodiode Si PIN avec UV amélioré, qui fonctionne en inverse et offre une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 800 nm.Sensibilité : 0,15 A/W à 340 nm.

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Laser YAG 1064nm -15mJ-5

Il s'agit d'un laser Nd: YAG à commutation Q passive avec une longueur d'onde de 1064 nm, une puissance de crête ≥ 15 mJ, un taux de répétition des impulsions de 1 ~ 5 hz (réglable) et un angle de divergence ≤ 8 mrad.De plus, il s'agit d'un laser petit et léger et capable d'atteindre une sortie d'énergie élevée qui peut être une source de lumière idéale de distance de distance pour certains scénarios qui ont des exigences rigides de volume et de poids, comme le combat individuel et l'UAV s'applique dans certains scénarios.

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Laser YAG 1064nm-15mJ-20

Il s'agit d'un laser Nd：YAG à commutation Q passive avec une longueur d'onde de 1064nm, une puissance de crête ≥15mJ et un angle de divergence ≤8mrad.De plus, c'est un laser petit et léger qui peut être une source de lumière idéale de longue distance allant en haute fréquence (20Hz).

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