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PIN Si à quatre quadrants

Modèle : GT111/ GT112/ GD3250Y/ GD3249Y/ GD3244Y/ GD3245Y/ GD32413Y/ GD32414Y/ GD32415Y

Brève description:

Il se compose de quatre mêmes unités de photodiode Si PIN qui fonctionnent en inverse et offrent une sensibilité élevée allant de l'UV au NIR.La longueur d'onde de réponse maximale est de 980 nm.Sensibilité : 0,5 A/W à 1064 nm.

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Paramètre technique

Étiquettes de produit

Caractéristiques

Faible courant d'obscurité
Réponse élevée
Bonne cohérence des quadrants
Petite zone aveugle

Applications

Guidage, ciblage et suivi laser
Pour appareil d'exploration
Systèmes de micro-positionnement laser, de surveillance de déplacement et de mesure précise

Paramètre photoélectrique (@Ta=25℃)

Article #	Catégorie de forfait	Diamètre de surface photosensible(mm)	Plage de réponse spectrale (nm)	longueur d'onde de réponse maximale	Réactivité λ=1064nm (kV/W)	Courant sombre (n / a)	Temps de montée λ=1064nm R_L=50Ω(ns)	Capacité de jonction f=1MHz (pF)	Tension de claquage (V)
GT111	TO-8	Ф4	400～1100	980	0,3	5(V_R=40V)	15(V_R=40V)	5(V_R=10V)	100
GT112		Ф6				7(V_R=40V)	20(V_R=40V)	7(V_R=10V)
GD3250Y		Ф8				10(V_R=40V)	25(V_R=40V)	10(V_R=10V)
GD3249Y	TO-20	Ф10				15(V_R=40V)	30(V_R=40V)	15(V_R=10V)
GD3244Y	TO-31-7	Ф10			0,4	20(V_R=135V)	20(V_R=135V)	10(V_R=135V)	300
GD3245Y	TO-31-7	Ф16				50(V_R=135V)	30(V_R=135V)	20(V_R=135V)
GD32413Y	MBCY026-P6	Ф14				40(V_R=135V)	25(V_R=135V)	16(V_R=135V)
GD32414Y	TO-8	Ф5.3	400～1150		0,5	4.8(V_R=140V)	15(V_R=140V)	4.2(V_R=140V)	≥300
GD32415Y	MBCY026-W7W	Ф11.3	400～1150		0,5	≤20(V_R=180V)	20(V_R=180V)	10(V_R=180V)	≥300