APD 355nm

Modèle : GD5210Y-0-1-TO5/ GD5210Y-0-2-TO5

Brève description:

Il s'agit d'une photodiode à avalanche Si avec une grande surface photosensible et des UV améliorés.Il offre une haute sensibilité allant de l'UV au NIR.

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Paramètre technique

Étiquettes de produit

Caractéristiques

Puce plate éclairée à l'avant
Réponse à grande vitesse
Gain APD élevé

Applications

Médical
La biologie

Paramètre photoélectrique（@Ta=22±3℃）

Article #	Catégorie de forfait	Diamètre de la surface photosensible(mm)	Plage de réponse spectrale (nm)	Réactivité λ=355nm φ_e=1μW M=100 (A/O)		Courant sombre M=100 (n / a)		Coéfficent de température Ta=-40℃～85℃ （V/℃）	Capacité totale M=100 f=1MHz （pF）	Panne tension IR=10μA (V)
				VR=10V	VR=8V	Tapez.	Max.			Min.	Max.
GD5210Y-0-1-TO5	TO-5	1.8	300～1100	0,22	6,75	3	10	0,4	20	80	200
GD5210Y-0-2-TO5	TO-5	3.0				15	50		50